В Китае разработана самая быстрая в мире флеш-память
В Китае разработали флеш-устройство с субнаносекундной скоростью работы, способное записывать 25 Гбит/с, что стало рекордом даже для обычной энергозависимой памяти, передает Синьхуа.
«Это похоже на то, что устройство может работать миллиард раз в мгновение ока, тогда как обычная USB-флешка может работать только 1000 раз. Предыдущий мировой рекорд для аналогичных технологий составлял 2 миллиона», — сказал профессор Чжоу Пэн из Государственной ключевой лаборатории интегральных микросхем и систем Фуданьского университета.
Ограничение скорости записи данных долгое время оставалось фундаментальной научной проблемой в разработке интегральных схем. Заряд доказал свою эффективность в качестве оптимального носителя информации, способного сохранять огромные объемы данных с высокой скоростью и надежностью.
С наступлением эры искусственного интеллекта проблема встала еще острее. Скорость вычислений буквально упирается в потолок аппаратных мощностей и энергоэффективности. Поэтому прорыв тут возможен только в усовершенствовании энергонезависимой памяти.
Самые быстрые современные запоминающие устройства — статическая память с произвольным доступом (SRAM) и динамическая память с произвольным доступом (DRAM) — энергозависимые. Предел скорости таких типов памяти примерно в три раза превышает время переключения транзистора, что составляет менее наносекунды. Однако потеря данных после отключения питания таких чипов ограничивает их применение в устройствах с низким энергопотреблением. Энергонезависимая флеш-память этого изъяна лишена — но работает она удручающе медленно.
Китайские физики разработали двумерную флеш-память с графеновым каналом Дирака. Технология, описанная в журнале Nature, избавила флеш-память от ее ключевого недостатка.
«Традиционная инжекция заряда имеет точку экстремума, тогда как суперинжекция может быть бесконечной. Двумерный механизм суперинжекции подвел скорость энергонезависимой памяти к ее теоретическому пределу», — поделился подробностями инженер Лю Чуньсэнь.
Флеш-память, применяемая ныне повсюду, стала краеугольным камнем технологической конкуренции, и новая разработка, уверены ее авторы, «не только изменит глобальный ландшафт технологий хранения», но и окажет мощную поддержку Китаю в достижении лидерства в передовых областях.
